Vorankündigung für MNEMOSYNE:

Ein nicht-flüchtiger Speicher, der für Platzmangel und raue Umgebungen in Weltraumanwendungen ausgelegt ist.

Diese neue Komponente mit Radhard-Speicher für Weltraumanwendungen ist ab Q3/2023 verfügbar.

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Besondere Merkmale und Vorteile
des neuen Radhard-Speicher MNEMOSYNE

Anwendungen

FPGA-Konfigurationsspeicher
Boot-/Programmspeicher von Prozessoren

Hauptvorteile

Weltraumtauglicher Konfigurations-/Programmspeicher hoher Dichte/Programmspeicher.
Geeignet für die wichtigsten hochwertigen FPGAs,
Prozessoren.
Erleichtert das Leben der Benutzer mit Funktionen für: ECC_flag, error_counter.
Miniaturisierung: geringe Pinanzahl und
kompakte Lösung
Skalierbarkeit: 512 Mbit und 1 Gbit sind Pin zu Pin
Pin-kompatibel

Leistungen

Dichte: 512 Mbit oder 1 Gbit
Bis zu 100 MHz
1,8 V SPI-Schnittstelle
SPI-, Dual-SPI-, QSPI- und OSPI-Modus unterstützt
Eingebettetes ECC
ECC-Flag, Fehlerzähler
100.000 P/E-Zyklen
20 Jahre Datenspeicherung
Software-Reset und Hardware-Reset-Pin
Boot-Konfiguration: x1, x4, x8
Temperaturbereich: -55°C bis +125°C
ITAR frei

Strahlungstoleranz

TID > 100 krad(Si)
SEL LET > 60MeV.cm²/mg
SEU LET > 60 MeV.cm²/mg
SET, SEFI LET > 60 MeV.cm²/mg

Weltraumqualifikationen

Bis zu ESA Klasse 1,
Bis zu NASA Stufe 1,
Hohe Langlebigkeit und Verlässlichkeit,
Flugerfahrung: 3D PLUS Erfahrung im Weltraum
Speicher für mehr als 20 Jahre

Was ist MNEMOSYNE

MNEMOSYNE - First Design ( Test vehicle ASIC)

MNEMOSYNE ist ein neuer nichtflüchtiger Radhard-Speicher, der im Rahmen eines europäischen Projekts entwickelt wurde. Der in unserem Modul eingebettete ASIC wird in Europa in einem 22 nm FDSOI-Prozess hergestellt. Dieses neue Portfolio von nichtflüchtigen Speichern verfügt über eine serielle oder parallele Schnittstelle, eingebettetes ECC und Zähler. Mit Speicherdichten von 128 Mbit bis 1 Gbit sind die MNEMOSYNE-Module mit der neuesten Generation von FPGAs und Prozessoren kompatibel.

Was kann man erwarten

Erste Lieferung: September 2023
Weltraumtauglicher Speicher mit hoher Konfigurationsdichte
Klassenbester in Sachen Zuverlässigkeit (Datenerhalt, P/E-Zyklen, Strahlung)
Erleichterung des Kundenlebens durch zusätzliche Funktionen für die Fehlerverwaltungsstrategie (ECC_flags, Fehlerzähler)
Skalierbarkeit (512 Mbit & 1 Gbit sind Pin zu Pin kompatibel)

MNEMOSYNE im Vergleich
(TID & SEE PERFORMANCE)

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3DMN512M08US4853
UND 3DMN1G08US8854

3DMN512M08US4853 oder 3DMN1G08US8854 ist ein hochleistungsfähiger nichtflüchtiger 512-Mbit- oder 1-Gbit-Speicher mit einer seriellen Schnittstelle.

Das 512 Mbit /1 Gbit Speichermodul ersetzt scheinbar jeden SPI NOR-Flash-Speicher, da es eine SPI-kompatible Hochgeschwindigkeits-Busschnittstelle mit geringer Pinzahl Schnittstelle mit einer einzigen 1,8-V-Stromversorgung. Es liefert bis zu 200 MBps Lese- und Schreibvorgänge über 8 I/O-Signale mit einer Taktfrequenz von 100 MHz.

Dieser native, gegen Latch-up immunisierte Speicher, der in einem FDSOI-Prozess hergestellt wird, ist durch sein Design strahlungsfest. Zusätzlicher Schutz gegen transiente Effekte wird wird durch einen eingebetteten Controller mit ECC gewährleistet.

Darüber hinaus sind ein ECC-Flag und ein Fehlerzähler vorhanden, um den Benutzer bei seiner Fehlerverwaltungsstrategie zu unterstützen. Diese Funktionen sind hilfreich, um die Lebensdauer des Moduls in der Strahlungsumgebung zu verlängern.

Warum das Projekt MNEMOSYNE gestartet
UND VON DER EU GEFÖRDERT WURDE

neue Generation strahlungsfeste, nichtflüchtige Programmspeicher hoher Dichte mit serieller Schnittstelle zu demonstrieren
Die Unabhängigkeit der europäischen Raumfahrtstrategie gegen amerikanische, russische und chinesische Akteure
ersten EU-unabhängigen strahlungsgehärteten nichtflüchtigen Speicher (NVM) hoher Dichte zu entwickeln, indem es die Magnetic RAM (MRAM)-Technologie und das Fachwissen von sechs wichtigen Partnern nutzt, die auf Strahlungshärtung und leistungsfähige Komponenten für Raumfahrtanwendungen spezialisiert sind.

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